Name: Vishay Siliconix SUD06N10-225L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD06N10-225L-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SUD06N10-225L-E3

Artikelnummer:

SUD06N10-225L-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SUD06N10-225L-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SUD06N10-225L-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-252AA
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	1.25W (Ta), 20W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.5A (Tc)
Grundproduktnummer	SUD06
SUD06N10-225L-E3 Einzelheiten PDF [English]	SUD06N10-225L-E3 PDF - EN.pdf

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